IEEE ISSCC国际固态电路大会上，三星(确切地说是Samsung Foundry)首次展示了采用3nm工艺制造的芯片，是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。

在三星路线图上，14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点，其他则是升级改善型，包括11/8/6/5/4nm等等。

三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破，比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。

GAAFET技术又分为两种类型，一是常规GAAFET，使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin)，二是MBCFET(多桥通道场效应晶体管)，使用的鳍更厚更宽一些，称之为纳米片(nanosheet)。

三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET，容量256Mb，面积56平方毫米，最令三星骄傲的就是超低功耗，写入电压只需要区区0.23V，这要感谢MBCFET的多种省电技术。

按照三星的说法，3GAE工艺相比于其7LPP，可将晶体管密度增加最多80%，性能提升最多30%，或者功耗降低最多50%。

或许，这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热，避免再出现所谓的“翻车”。

关键词： 三星 电压