南大光电于5月31日晚间发布公告，控股子公司宁波南大光电自主研发的ArF光刻胶继2020年12月在一家存储芯片制造企业的50nm闪存平台上通过认证后，近日又在逻辑芯片制造企业55nm技术节点的产品上取得了认证突破，表明公司光刻胶产品已具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求。

不过南大光电没有透露具体的客户名字。

在光刻机市场上，国内自给率极低，欧美日等地区的厂商占据主要份额，JSR、信越化学等TOP5厂商占据全球87%的份额。

光刻胶有不同的技术类别，低端的中g线/i线光刻胶自给率约为20%，KrF光刻胶自给率不足5%，而高端的ArF光刻胶完全依赖进口，是国内半导体的卡脖子技术之一。

虽然南大光电的ArF光刻胶现在通过的是55nm工艺认证，但ArF光刻胶涵盖的工艺技术很广，可用于90nm-14nm甚至7nm 技术节点制造工艺，广泛应用于高端芯片制造(如逻辑芯片、 存储芯片、AI 芯片、5G 芯片和云计算芯片等)。

关键词： 光电 光刻胶 金属布线 厂商