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DFN0603封装提高性能并显著减少空间需求

奈梅亨，2022年7月6日：基础半导体器件领域的高产能生产专家 HYPERLINK "http://www.nexperia.com" 今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括：

新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一个不容忽视的问题。

Nexperia作为分立器件生产行业领导者，凭借数十年经验的沉淀，设计出这一超小尺寸的创新型MOSFET系列，成功地克服了这两个问题。超薄型DFN0603封装，尺寸仅为0.63 x 0.33 x 0.25 mm，比第二小封装(DFN0604)的MOSFET使用的空间少13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些MOSFET的RDS(on)减少了74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。

该新系列小型MOSFET包括：

PMX100UN20V，N沟道TrenchMOSFETPMX100UNE20V，N沟道TrenchMOSFET，带2kVESD保护(HBM)PMX300UNE30V，N沟道TrenchMOSFETPMX400UP20V，P沟道TrenchMOSFET

Nexperia计划于2022年下半年为该系列再增加两款MOSFET。

关键词： 功率密度 产品设计 不容忽视