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据业内信息，近日全球光刻机巨头ASML在今年的半导体EUV生态系统全球大会上表示，EUV设备出货量这几年来不断上升，去年大约为42台，而今年预测将超过50台。2024年年底预计推出下一代High-NA EUV设备。

从ASML今年Q3季度的财报数据可以看出，其收到了较多的TWINSCANEXE:5200订单，而且目前所有的EUV客户都已提交High-NA的订单。

下一代的High-NA EUV设备是将集光能力的镜头数值孔径(NA)从0.33提高到0.55的设备，比现有的EUV设备处理更精细的半导体电路。因此业内普遍认为High-NA设备对2nm工艺至关重要。

据悉，三星电子和SK海力士已经向光刻机巨头ASML订购了下一代半导体设备High-NA EUV设备，预计未来在2nm制程工艺的竞争将加剧。

虽然High-NA EUV设备的价格高于EUV，但它可以一次性实现超精细工艺(单次图案化)，这可以极大地提高生产力。

关键词： 半导体电路 数值孔径 可以看出