据 21 ic 近日获悉，为了应对存储市场需求下滑以及美国的先进半导体限制禁令，韩国存储芯片大厂 SK 海力士的设备采购受到了影响，可能会推迟或放弃在中国大连的第二座 3D NAND Flash 工厂的落地，或将出售该晶圆厂已建成的基础设施。

2020 年第四季度 SK 海力士以 90 亿美元收购了英特尔大连 NAND 闪存工厂以及其他闪存业务，但是英特尔仍将继续保留其特有的傲腾业务。一年后 SK 海力士获得当地审批并正式完成了该项目的收购业务。

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但是现阶段该工厂的交接事项并没有完全完成，之前 SK 海力士和英特尔双方约定的是在 2025 年第一季度完成最终交割，届时 SK 海力士将支付 20 亿美元的尾款，最终会交接包括 NAND 闪存晶圆的生产及设计相关的知识产权、研发人员以及中国大连工厂的员工等。

2022 年 5 月， SK 海力士·英特尔 DMTM 半导体(大连)有限公司非易失性存储器项目在大连金普新区举行开工仪式，该项目是建设一座主要负责非易失性存储器 3D NAND Flash 芯片生产的新晶圆工厂，也就是本次的 SK 海力士大连第二晶圆厂。

据知情人士透露，该晶圆厂的施工尚未进入收尾阶段，也并未与晶圆厂设备供应商就交付和安装进行讨论，这种情况有较大概率会将连同基础设施在内的整个项目出售，毕竟 SK 海力士在刚刚过去的第一季度迎来了巨额亏损。

根据产业的动向，存储市场的需求仍在不断下滑，美光等存储大厂都相继减产，SK 海力士已经将今年的资本支砍掉了一半， SK 海力士大连第二晶圆厂的建设停工步伐也是减少资本支出的一项。

此外还有美国的先进半导体限制禁令，美国的先进半导体新规限制了 128 层及以上的 3D NAND Flash、18nm 半间距或更小的 DRAM 内存芯片所需的制造设备的对华出口，鉴于荷兰和日本对先进半导体限制禁令的依次跟进，更多的半导体相关设备的对华出口就受到了限制。

对于存储大厂 SK 海力士来说，这样的情况不容乐观，目前 128 层 3D NAND Flash 是主流，但是头部的存储芯片厂商已经迈向了更高的堆叠层数。美光在去年就量产 232 层 3D NAND Flash，SK 海力士要想保持长期的竞争力就必须瞄准 128 层及以上 3D NAND Flash 制造，在中国的工厂显然就拖其后腿了。

虽然去年 SK 海力士获得了美国商务部给予的 1 年豁免期，在此期间可以不受限制的为其在大陆的晶圆厂采购需要的设备，但是 SK 海力士并未取得产业其他供应方的豁免，比如几乎垄断了半导体设备的荷兰和日本，而且一些关键的半导体设备交付期超过了 1 年以上，但是 SK 海力士的豁免期仅剩半年左右，所以有较大的概率是无法在豁免期结束前完成设备搬入的。

SK 海力士首席营销官 Kevin·Noh 在去年第三季度财报的电话会议上就曾表示，“在美国新规之下，SK 海力士中国无锡厂无法不受影响。作为应急计划，可能要考虑出售晶圆厂、出售设备或将设备转移到韩国，但这是一个应急计划， 我们希(继续在不面对这种情况的情况下运营。”

上个月有业内信息报道，SK 海力士已将其全球销售和营销团队(GSM)从仁川迁至首尔，为了加强对芯片生产后端使用的零部件和设备的采购，该公司还将其采购团队拆分为前端团队和后端团队。

SK 海力士官方表示，首席营销官 Kevin·Noh 针对中国工厂的设备转移等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。对于 1 年豁免期到期后能否继续获得美国的豁免，韩国及美国政府同意继续协商。

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