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21ic 近日获悉，三星电子表示已经开始批量生产采用 12nm 级工艺节点制造的双倍数据速率 5(DDR5) DRAM，去年年底的时候该公司宣布开发 16Gb DDR5 DRAM，通过量产先进的 12nm DDR5 DRAM 印证了其在存储芯片中的主导地位。

三星电子官方表示 16Gb DDR5 DRAM 的功耗降低将使服务器和数据中心运营商能够减少能源消耗和碳足迹，该芯片具有 7.2Gbps 的最高速度，可以在大约一秒内处理 60GB 数据，主要针对数据中心、人工智能和新的计算应用。

据悉，三星电子实现了 12nm 的工艺节点主要得益于采用了一种新的高k材料，可以让芯片准确地区分数据信号的差异，而且采用 EUV 来实现业内最高的密度。去年年底 DRAM 已经验证了与 AMD 的兼容性，三星表示目前正在与全球其他更多的客户合作。

三星的 12nm DRAM量产成为了在 存储芯片低迷时期最先进的 DRAM，也从侧面说明了三星在全球存储半导体制造商中的领先地位。三星表示新芯片相比于上一代功耗降低了 23%，而晶圆产能提高了 20%，这说明晶圆的利用率上升使得单个晶圆多生产 20% 的芯片，而且新的芯片可能会在体积上更小。

因为业内对于这样的工艺命名体系并不统一，三星最新的 DRAM 在自家体系里是用第五代 10nm 级工艺节点制造的，但是不同公司制造的芯片之间的实际晶体管尺寸和密度，与其用于营销的工艺节点名称无关，如果不进行测试就很难知道，并且彼此之间可能会有很大差异。

据悉，因为半导体芯片部门亏损严重 三星的利润跌至 14 年新低，但三星预计下半年芯片需求将逐步回升。三星今年第一季度收入为 63.75 万亿韩元，营业利润为 0.64 万亿韩元，分别比去年同期下降 18% 和 96%。

不仅三星，其他存储半导体公司比如 SK 海力士和美光科技也表示内存芯片的需求低迷和供应过剩使其最近一个财季出现了严重亏损，随后这三家公司都宣布削减其计划产量。多年来服务器客户一直对 DRAM 需求旺盛，而 DRAM 的需求放缓一直是经济下滑的最重要原因之一。

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